EPROM

L'invenzione, avvenuta nel 1971, è dovuta ad un ingegnere israeliano, Dov Frohman, fuoriuscito dalla Fairchild Semiconductor per unirsi a Moore, Noyce e Grove, fondatori della società Intel, che a loro volta erano usciti dalla Fairchild l'anno prima.
Tali memorie si basano sul transistor ad effetto di campo FAMOS (''Floating-gate Avalanche Injection MOS''), un tipo di Floating Gate MOSFET a canale ''p'' programmabile mediante breakdown a valanga. da Wikipedia